CI-2 新たな光デバイスを生みだす革新的基盤技術


開催日時

2020年 9月15日 (火) 午後

会 場

Zoomによるオンライン開催

委員会

レーザ・量子エレクトロニクス研専、光エレクトロニクス研専、光集積およびシリコンフォトニクス 共催

主 旨

近年、高密度化・高機能化が進む光デバイスは,デバイス設計に加えてその作製技術の革新に大きく支えられている.そこで光デバイス材料であるInP,GaAsなどの化合物半導体やSi における各種プロセスやリソグラフィー技術 を俯瞰し,今後の新規 デバイスの実現を支える基盤技術について議論を行う.